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Au cours d'une conférence de presse (quartiers généraux de Séoul) en Corée du Sud, Samsung a présenté aux journalistes spécialisés un nouveau type de mémoire appelé "PRAM" ("Phase-change Random Access Memory"). Cette mémoire non-volatile serait jusqu'à trente fois plus rapide que la mémoire Flash NOR (sans parler la vitesse des disques durs).

Pour le moment, Samsung a réussi à créer un prototype de cette mémoire PRAM d'une capacité de stockage de 512 mégaoctets, mais ne compte rien commercialiser de cette technologie avant 2008.

Important : La PRAM se compare davantage à la mémoire Flash NOR que celle appelée NAND. Différence entre NOR et NAND :

1. Mémoire Flash NOR permet de stocker des données et de faire fonctionner des logiciels.
2. Mémoire Flash NAND ne permet de stocker que des données.

Selon Samsung, cette nouvelle mémoire servira surtout à améliorer les performances de certains appareils électroniques qui ont des mémoires internes (téléphones cellulaires, ordinateurs mobiles). Théoriquement, la mémoire PRAM pourrait peut-être même servir à faire fonctionner le système d'exploitation d'un ordinateur (amélioration sensible de la vitesse de démarrage).

Samsung explique, dans son communiqué de presse, que la mémoire PRAM, en plus d'être trente fois plus rapide que la mémoire Flash, posséderait une durée de vie jusqu'à dix fois plus élevée que la mémoire Flash. Evolution de produit à suivre dans les mois et les années à venir.